集積回路の配線およびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮田金雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-166106
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012617
出願日： 1996年06月26日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：

【要約】【課題】集積回路の同一層に形成される複数の配線について、アスペクト比が一定範囲内になるように形成して、配線の歩留まりと信頼性を向上させる。【解決手段】エッチングガスとして炭素とフッ素を含むガスを使い、これに炭素を含むガスを添加して、プラズマエッチングにより酸化膜をエッチングする。エッチングレートは溝の幅にほぼ比例するので溝の深さは幅にほぼ比例する。この溝に導電性材料を充填して配線とする。銅を含む導電性材料で配線を形成したときは拡散防止膜で被覆する。

請求項（抜粋）：

レジストマスクが表面に形成された絶縁膜を炭素とフッ素とを含むエッチングガスに炭素を含む添加ガスを加えたガスでプラズマエッチングして溝を形成する第1の工程と、上記溝に導電材料を充填する第2の工程とを備えた集積回路の配線の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/88 K , H01L 21/302 F

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-242835 出願人：株式会社東芝
コンタクトホールの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-216748 出願人：松下電器産業株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-274269 出願人：株式会社東芝

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