半導体装置、有機トランジスタ及びその作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-117481
公開番号（公開出願番号）：特開2006-332614
出願日： 2006年04月21日
公開日（公表日）： 2006年12月07日
要約：

【課題】緻密かつ絶縁耐性が強い高品質なゲート絶縁膜を形成し、トンネルリーク電流が少ない信頼性の高い有機トランジスタを提案することを目的とする。【解決手段】電子密度が1011cm-3以上かつ電子温度が0.2eV以上2.0eV以下の高密度プラズマを用いて酸素(もしくは酸素を含むガス)や窒素(もしくは窒素を含むガス)などをプラズマ励起によって活性化し、ゲート電極となる導電層の一部と直接反応させ絶縁化することでゲート絶縁膜を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

電子密度が1011cm-3以上かつ電子温度が0.2eV以上2.0eV以下の高密度プラズマを用いて形成された絶縁膜と、有機半導体材料を含む半導体層とが接する有機トランジスタで回路が形成された半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/28 , H01L 21/283 , H01L 51/05 , H01L 51/30 , H01L 21/312 , H01L 21/316

FI (9件)：

H01L29/78 617V , H01L29/78 618B , H01L29/78 616V , H01L21/28 301B , H01L21/283 B , H01L29/28 100A , H01L29/28 280 , H01L21/312 M , H01L21/316 M

Fターム (80件)：

4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB36 , 4M104CC05 , 4M104DD35 , 4M104EE03 , 4M104EE14 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104FF13 , 4M104GG09 , 4M104HH08 , 4M104HH20 , 5F058AA10 , 5F058AB05 , 5F058AB06 , 5F058AB07 , 5F058AC02 , 5F058AC10 , 5F058AD04 , 5F058AD09 , 5F058AD10 , 5F058AE02 , 5F058AH02 , 5F058BA20 , 5F058BD19 , 5F110AA06 , 5F110AA12 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD25 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE48 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF22 , 5F110FF25 , 5F110FF26 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF36 , 5F110GG05 , 5F110GG25 , 5F110GG42 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK18 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110NN71 , 5F110NN72

引用特許：

出願人引用 (1件)

薄膜トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-341347 出願人：株式会社日立製作所

審査官引用 (7件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-202147 出願人：松下電器産業株式会社
電界効果型トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-323966 出願人：ソニー株式会社
有機薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-320342 出願人：日本電気株式会社

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