特許
J-GLOBAL ID：200903094276483684

電界効果型トランジスタ

発明者：
米屋 伸英

米屋 伸英 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-323966
公開番号（公開出願番号）：特開2005-093633
出願日： 2003年09月17日
公開日（公表日）： 2005年04月07日
要約：
【課題】電気的異方性を有する有機半導体層から成るチャネル形成領域が高い電気導電性を示し得る構造を有する電界効果型トランジスタを提供する。【解決手段】電界効果型トランジスタは、ゲート電極12、ソース/ドレイン電極14、及び、ソース/ドレイン電極14間に設けられたチャネル形成領域16を備えており、該チャネル形成領域16は電気的異方性を有する有機半導体層15から成り、少なくとも、一方のソース/ドレイン電極14Aの縁部14aと対向する他方のソース/ドレイン電極14Bの縁部14bは直線ではない。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
ゲート電極、ソース/ドレイン電極、及び、ソース/ドレイン電極間に設けられたチャネル形成領域を備えた電界効果型トランジスタであって、 該チャネル形成領域は、電気的異方性を有する有機半導体層から成り、 少なくとも、一方のソース/ドレイン電極の縁部と対向する他方のソース/ドレイン電極の縁部は直線ではないことを特徴とする電界効果型トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L29/786 ,  H01L51/00
FI (4件)：
H01L29/78 616T ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618C ,  H01L29/28
Fターム (51件)：
5F110AA01 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE38 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF22 ,  5F110FF24 ,  5F110FF25 ,  5F110FF26 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HM04 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ14 ,  5F110QQ17
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (7件)
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