特許
J-GLOBAL ID:200903093857857953
3次元フォトニック結晶の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-137153
公開番号(公開出願番号):特開2007-310038
出願日: 2006年05月17日
公開日(公表日): 2007年11月29日
要約:
【課題】 本発明の目的は、均一性の高い大表面積の3次元フォトニック結晶の製造方法を提供することである。【解決手段】 本発明の3次元フォトニック結晶の製造方法は、微粒子を構成単位とする3次元フォトニック結晶の製造方法であって、窪みを有するテンプレート基板(Q)に、微粒子スラリーを供給して、窪みの形状に従った微粒子集積体を有する層(A)を形成し、さらに層(A)の上部に連続的な微粒子集積体層(A')を形成することを特徴とする。 テンプレート基板(Q)に形成される窪みは、表面が(100)面又は(110面)であるシリコン基板を異方性エッチングすることにより作製される(111)面を表面に持つV字窪みであることが好ましく、その窪みの間隔が、0又は構成単位である微粒子の直径の整数倍であればさらに好ましい。【選択図】なし
請求項(抜粋):
微粒子を構成単位とする3次元フォトニック結晶の製造方法であって、窪みを有するテンプレート基板(Q)に、微粒子スラリーを供給して、窪みの形状に従った微粒子集積体を有する層(A)を形成し、さらに層(A)の上部に連続的な微粒子集積体層(A')を形成することを特徴とする3次元フォトニック結晶の製造方法。
IPC (3件):
G02B 1/02
, G02B 6/13
, G02B 6/12
FI (3件):
G02B1/02
, G02B6/12 M
, G02B6/12 Z
Fターム (32件):
2H147BF04
, 2H147BF05
, 2H147BG07
, 2H147BG14
, 2H147BG19
, 2H147EA02C
, 2H147EA13C
, 2H147EA14B
, 2H147EA14C
, 2H147EA16A
, 2H147EA16B
, 2H147EA16D
, 2H147EA17A
, 2H147EA17B
, 2H147EA19C
, 2H147EA19D
, 2H147EA20C
, 2H147EA22A
, 2H147EA22B
, 2H147EA25A
, 2H147EA25B
, 2H147EA45A
, 2H147EA45B
, 2H147FA17
, 2H147FA24
, 2H147FA25
, 2H147FA27
, 2H147FC02
, 2H147FD09
, 2H147FD10
, 2H147FD16
, 2H147FE07
引用特許: