特許

J-GLOBAL ID：200903093981365716

現像済みレジスト基板処理液とそれを用いたレジスト基板の処理方法

発明者： 能 谷 剛 ,  嶋 崎 竜 太 ,  小 林 政 一
出願人/特許権者： AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社
代理人 (4件)： 吉武 賢次 ,  中村 行孝 ,  紺野 昭男 ,  横田 修孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-285262
公開番号（公開出願番号）：特開2008-102343
出願日： 2006年10月19日
公開日（公表日）： 2008年05月01日
要約：

【課題】現像後のパターン表面の欠陥を改良するための現像後レジスト基板処理液およびそれを用いたレジスト基板の処理方法の提供。【解決手段】窒素含有水溶性ポリマーまたは酸素含有水溶性ポリマー、例えばポリアミン、ポリオールまたはポリエーテルと、溶媒とを含んでなることを特徴とするレジスト基板処理液、ならびに現像処理後のレジストパターンを、そのレジスト基板処理液により処理し、純水により洗浄をさらに行うことを特徴とするレジスト基板の処理方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

窒素含有水溶性ポリマーまたは酸素含有水溶性ポリマーと、溶媒とを含んでなることを特徴とする、現像済みレジスト基板処理液。

IPC (3件)：

G03F 7/32 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/304

FI (3件)：

G03F7/32 501 ,  H01L21/30 569E ,  H01L21/304 647A

Fターム (4件)：

2H096GA17 ,  2H096HA30 ,  5F046LA12 ,  5F046LA14

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体デバイス製造の際の欠陥低減方法及び処理溶液
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-292481   出願人：エアプロダクツアンドケミカルズインコーポレイテッド
• リソグラフィー用リンス液およびそれを用いたレジストパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-350600   出願人：クラリアントジャパン株式会社, 東京エレクトロン株式会社

審査官引用 (2件)

• リンス液及びこれを用いたレジストパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-188253   出願人：信越化学工業株式会社
• リンス処理方法および現像処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-207574   出願人：東京エレクトロン株式会社