特許
J-GLOBAL ID:200903043359509487

リンス液及びこれを用いたレジストパターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-188253
公開番号(公開出願番号):特開2006-011054
出願日: 2004年06月25日
公開日(公表日): 2006年01月12日
要約:
【解決手段】 レジストを用いたリソグラフィー工程において用いるリンス液であって、水溶性ポリマーを含有するリンス液、及びこれを用いたレジストパターン形成方法。【効果】 本発明によれば、各種放射線(紫外線、遠紫外線、真空紫外線、電子線、X線、エキシマレーザー等の各種レーザー光)に感光するレジスト材料を用いたリソグラフィー工程においてレジスト不溶性成分の発生、付着を防止できると共に、レジスト不溶性成分が付着してしまった場合にあっても効果的に除去することができ、これにより、半導体LSI等の半導体集積回路製造におけるレジストを用いたリソグラフィー工程において、レジスト上や基板上で起こり得るレジスト不溶性成分に起因する欠陥による歩留まり低下を可及的に防止することができる。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
レジストを用いたリソグラフィー工程において用いるリンス液であって、水溶性ポリマーを含有することを特徴とするリンス液。
IPC (2件):
G03F 7/32 ,  H01L 21/027
FI (2件):
G03F7/32 501 ,  H01L21/30 569E
Fターム (5件):
2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096BA09 ,  2H096GA18 ,  5F046LA12
引用特許:
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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