半導体デバイス製造の際の欠陥低減方法及び処理溶液

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：青木篤 , 石田敬 , 古賀哲次 , 永坂友康 , 西山雅也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-292481
公開番号（公開出願番号）：特開2004-078217
出願日： 2003年08月12日
公開日（公表日）： 2004年03月11日
要約：

【課題】製造中に生じる半導体デバイスの欠陥、特にパターンのつぶれを、スループットを犠牲にすることなく低減するための方法とそのための処理溶液を提供すること。【解決手段】 1種以上の界面活性剤を含む処理溶液を使用して、半導体デバイス製造時の欠陥数を低減する。この処理溶液は、特定の好ましい態様において、パターニングしたホトレジスト層の現像の際又はその後でリンス液として使用すると、パターンのつぶれのような現像後の欠陥を低減することができる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

半導体デバイスを製造する際の欠陥を低減するための方法であって、基材を用意する工程、及び当該基材を次の式(I)又は(II)

IPC (3件)：

G03F7/32 , H01L21/027 , H01L21/304

FI (3件)：

G03F7/32 501 , H01L21/304 647B , H01L21/30 569E

Fターム (4件)：

2H096AA25 , 2H096GA08 , 2H096GA18 , 5F046LA12

引用特許：

出願人引用 (8件)

現像工程におけるフォトレジストパターンの倒れを防止する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-286834 出願人：三菱電機株式会社
米国特許第6152148号明細書
国際公開第02/23598号パンフレット

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審査官引用 (5件)

欠陥の削減方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2001-562265 出願人：シップレーカンパニーエルエルシー
アセチレン列ジオールエチレンオキシド/プロピレンオキシド付加物および現像剤におけるその使用
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-401767 出願人：エアー.プロダクツ.アンド.ケミカルス.インコーポレーテッド
濃厚テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド水溶液
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-329746 出願人：株式会社トクヤマ

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