特許
J-GLOBAL ID:200903094004466578

基板処理方法および基板処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 稲岡 耕作 ,  川崎 実夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-031245
公開番号(公開出願番号):特開2008-198741
出願日: 2007年02月09日
公開日(公表日): 2008年08月28日
要約:
【課題】ダメージや乾燥不良の発生を抑制しつつ、処理時間を低減することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。【解決手段】DIWによるリンス処理が行われたウエハWの表面にHFEを短時間供給する。これにより、ウエハW上のDIWの大部分がHFEに置換される。その後、HFEとIPAの混合液の蒸気をウエハWの表面に供給する。供給された蒸気は、ウエハW上の液成分に均一に溶け込んでいく。また、ウエハW上に残留しているDIWは、前記液成分に拡散した後、当該液成分の液面から蒸発していく。これにより、ウエハW上からDIWが完全に除去され、パターン倒れの発生が抑制される。その後、スピンドライ処理を実施することにより、ウォーターマークの発生を抑制しつつウエハWを乾燥させることができる。【選択図】図3
請求項(抜粋):
基板の主面に処理液を供給する処理液供給工程と、 この処理液供給工程の後に、純水よりも表面張力が低い第1低表面張力液体を前記主面に供給する液体供給工程と、 この液体供給工程の後に、純水よりも表面張力が低い低表面張力液体であって、前記第1低表面張力液体に溶解可能である第2低表面張力液体の蒸気を前記主面に供給する蒸気供給工程とを含む、基板処理方法。
IPC (4件):
H01L 21/304 ,  B08B 3/04 ,  G02F 1/13 ,  H01L 21/027
FI (6件):
H01L21/304 651H ,  H01L21/304 651B ,  H01L21/304 643A ,  B08B3/04 A ,  G02F1/13 101 ,  H01L21/30 572B
Fターム (25件):
2H088FA17 ,  2H088FA21 ,  2H088FA30 ,  2H088HA01 ,  2H088MA20 ,  3B201AA02 ,  3B201AA03 ,  3B201AB34 ,  3B201AB48 ,  3B201BB22 ,  3B201BB32 ,  3B201BB43 ,  3B201BB53 ,  3B201BB82 ,  3B201BB92 ,  3B201BB93 ,  3B201BB95 ,  3B201BB99 ,  3B201CC01 ,  3B201CC12 ,  3B201CC13 ,  3B201CD35 ,  3B201CD43 ,  5F046MA05 ,  5F046MA10
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 基板乾燥方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2001-284554   出願人:大日本スクリーン製造株式会社
審査官引用 (4件)
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