特許
J-GLOBAL ID：200903094056251553

絶縁膜の形成方法

発明者：
安田 直樹

安田 直樹 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-246375
公開番号（公開出願番号）：特開平10-092814
出願日： 1996年09月18日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：
【要約】【課題】ゲート酸化膜の歪分布を膜厚方向に関して均一化すること。【解決手段】シリコン基板41上に周辺SiO2 膜42を形成し、この周辺SiO2 膜42により、その後の工程で形成されるゲート酸化膜44の歪(構造歪+内部歪)のうち、制御が容易な内部歪を基板表面から離れるに従って大きくする。
請求項（抜粋）：
基板上にSi、Oを含む絶縁膜を形成する絶縁膜の形成方法において、前記基板と前記絶縁膜との接合により該絶縁膜に発生する構造歪および前記絶縁膜の形成時に該絶縁膜の膜厚に対応して発生または緩和する内部歪のうち、前記内部歪を制御することにより、前記構造歪と前記内部歪との総和歪の分布を前記絶縁膜の膜厚方向に関して均一化することを特徴とする絶縁膜の形成方法。
引用特許：
審査官引用 (6件)
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