特許
J-GLOBAL ID：200903094061636595

レーザシステム用の設計作製フッ化物被覆素子

発明者：
ホルスト シュライバー

ホルスト シュライバー について

, 
ジュエ ワン

ジュエ ワン について


出願人/特許権者：
コーニング インコーポレイテッド

コーニング インコーポレイテッド について


代理人 (4件)： 柳田 征史 ,  佐久間 剛 ,  河野 香 ,  樋口 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-047585
公開番号（公開出願番号）：特開2008-287219
出願日： 2008年02月28日
公開日（公表日）： 2008年11月27日
要約：
【課題】 200nm未満のレーザシステムに用いられる素子において、表面/界面の粗さおよび不均一性を増加させずに、193nmで高反射率を達成する。【解決手段】 基体20;各々が、高屈折率フッ化物材料の少なくとも1つの層40および低屈折率フッ化物材料30の少なくとも1つ層を含む、1つ以上の周期のフッ化物コーティング材料;および非晶質シリカ、非晶質FドープトSiO2、非晶質Al2O3ドープトSiO2、および非晶質NドープトSiO2からなる群より選択される少なくとも1つの層の非晶質SiO2材料50を含む素子。高屈折率フッ化物材料は1.65から1.75の範囲の屈折率を有し、低屈折率フッ化物材料は1.35から1.45の範囲の屈折率を有する。【選択図】図9
請求項（抜粋）：
200nm未満のレーザシステムに使用するための素子であって、 基体、 各々が、少なくとも一層の高屈折率フッ化物材料および少なくとも一層の低屈折率フッ化物材料を含む、1つまたは複数の周期のフッ化物コーティング材料、および 前記フッ化物コーティング材料の周期の少なくとも1つの最上面に施された、シリカ、FドープトSiO2、NドープトSiO2およびAl2O3ドープトSiO2からなる群より選択される非晶質SiO2系材料の少なくとも1つの層、 を備え、 前記高屈折率フッ化物材料が1.65から1.75の範囲の屈折率を有し、前記低屈折率フッ化物材料が1.35から1.45の範囲の屈折率を有し、 前記フッ化物コーティング材料の各周期の厚さが50nmから90nmの範囲にあり、該コーティング材料の各周期内にある前記高屈折率フッ化物材料の層の厚さが20nmから40nmの範囲にあり、前記コーティング材料の各周期内にある前記低屈折率フッ化物材料の層の厚さが30nmから50nmの範囲にあり、 必要に応じて、前記基体と前記フッ化物コーティング材料の最初の周期との間に非晶質SiO2材料のコーティングを備え、この必要に応じての非晶質SiO2材料が、該基体に施されたときに、前記非晶質SiO2系材料の少なくとも1つの層に加えられていることを特徴とする素子。
IPC (3件)：
G02B 5/08 ,  G02B 5/26 ,  G02B 5/28
FI (3件)：
G02B5/08 A ,  G02B5/26 ,  G02B5/28
Fターム (20件)：
2H042DA02 ,  2H042DA08 ,  2H042DA12 ,  2H042DA18 ,  2H042DB02 ,  2H042DC02 ,  2H042DE07 ,  2H048FA05 ,  2H048FA09 ,  2H048FA11 ,  2H048FA22 ,  2H048FA24 ,  2H048GA04 ,  2H048GA12 ,  2H048GA17 ,  2H048GA32 ,  2H048GA60 ,  2H048GA61 ,  5F172AD06 ,  5F172NQ33
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 米国特許出願公開第2003/227670A1号
審査官引用 (4件)
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