残留物を除去するための組成物及び方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：青木篤 , 石田敬 , 古賀哲次 , 永坂友康 , 西山雅也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-212358
公開番号（公開出願番号）：特開2006-096984
出願日： 2005年07月22日
公開日（公表日）： 2006年04月13日
要約：

【課題】フォトレジストやエッチング残留物などの残留物を除去できる選択的クリーニング組成物およびクリーニング方法を提供する。【解決手段】少なくとも50wt%のグリコールエーテルを含む特定の有機溶媒と少なくとも0.5%の第四級アンモニウム化合物とを含む組成物により、フォトレジスト及び/又はエッチング残留物などの残留物を物品から除去する方法であり、基材をその組成物と接触させることを含む方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

a)少なくとも約50wt%の有機溶媒であって、該有機溶媒の少なくとも約50%はグリコールエーテルである有機溶媒、及び b)少なくとも約0.5wt%の第四級アンモニウム化合物、を含む、残留物を除去するための組成物。

IPC (6件)：

C11D 7/32 , H01L 21/304 , C11D 7/50 , C11D 7/26 , G03F 7/42 , H01L 21/027

FI (7件)：

C11D7/32 , H01L21/304 647A , H01L21/304 647Z , C11D7/50 , C11D7/26 , G03F7/42 , H01L21/30 572B

Fターム (15件)：

2H096AA25 , 2H096BA01 , 2H096BA09 , 2H096JA04 , 2H096LA03 , 2H096LA06 , 4H003DA15 , 4H003EB07 , 4H003EB13 , 4H003EB14 , 4H003EB19 , 4H003EB22 , 4H003ED28 , 4H003ED29 , 5F046MA02

引用特許：

審査官引用 (5件)

剥離剤組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-255696 出願人：花王株式会社
銅配線基板向けアミン含有レジスト剥離液および剥離方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-024857 出願人：三菱瓦斯化学株式会社
半導体回路用洗浄剤及びそれを用いた半導体回路の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-094045 出願人：三菱瓦斯化学株式会社

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