特許
J-GLOBAL ID：200903094108284072

位置検出装置及び方法

発明者：
田中 浩

田中 浩 について

, 
丸田 卓司

丸田 卓司 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 大塚 康徳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-044482
公開番号（公開出願番号）：特開2003-338455
出願日： 2003年02月21日
公開日（公表日）： 2003年11月28日
要約：
【要約】【課題】半導体製造装置のマーク検出率を向上させる為のものである。【解決手段】ウエハ上の特にプリアライメントマークの見えは半導体の高密度化に伴って多様となっている。理由はマーク部の積層構造による線幅の変化、マーク部の反射率の違いによる明暗の変化が発生するからである。そのような画像であっても検出率を向上させる為にマークのエッジとエッジの方向を同時に抽出し、予め記憶しているエッジ方向毎にエッジを着目する特徴着目点で構成されるテンプレートとのマッチングを行ない、マークの変形とマーク明暗の変化に対応したテンプレートの自動変形による最適化を行なう。最適化されたテンプレートは次回以降のマッチングで使用するように自己学習する。そうすることでマークの検出率が向上する。
請求項（抜粋）：
検出マークの位置を検出する位置検出方法であって、前記検出マークを含む画像に対して、テンプレートを用いたマッチングを実行するマッチング工程と、前記マッチングに用いられるテンプレートを変更する変更工程と、前記マッチング工程によるマッチング度が所定値以下の場合、前記変更工程によってテンプレートを変更しながら前記マッチング処理を繰り返す繰返し工程と、前記マッチング工程もしくは前記繰り返し工程によるマッチングの結果に基づいて位置検出をする工程とを備えることを特徴とする位置検出方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027 ,  G01B 11/00 ,  G03F 9/00
FI (4件)：
G01B 11/00 H ,  G03F 9/00 H ,  H01L 21/30 525 W ,  H01L 21/30 525 P
Fターム (28件)：
2F065AA01 ,  2F065AA07 ,  2F065AA12 ,  2F065AA14 ,  2F065AA20 ,  2F065BB02 ,  2F065BB27 ,  2F065CC19 ,  2F065CC20 ,  2F065DD04 ,  2F065DD06 ,  2F065FF04 ,  2F065HH16 ,  2F065JJ03 ,  2F065JJ26 ,  2F065MM03 ,  2F065PP12 ,  2F065QQ03 ,  2F065QQ06 ,  2F065QQ24 ,  2F065QQ25 ,  2F065QQ28 ,  2F065QQ31 ,  2F065QQ38 ,  2F065RR02 ,  2F065TT08 ,  5F046FA10 ,  5F046FC04
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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