特許
J-GLOBAL ID：200903094142255650

セリウム化合物研磨剤及び基板の研磨法

発明者：
山本 靖浩

山本 靖浩 について

, 
櫻田 剛史

櫻田 剛史 について


出願人/特許権者：
日立化成工業株式会社

日立化成工業株式会社 について


代理人 (1件)： 若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-135098
公開番号（公開出願番号）：特開2000-328044
出願日： 1999年05月17日
公開日（公表日）： 2000年11月28日
要約：
【要約】【課題】 酸化珪素絶縁膜等の被研磨面を傷が極めて少なく研磨することが可能なセリウム化合物研磨剤及び被研磨面を傷が極めて少なく研磨することが可能な半導体素子等の基板の研磨法を提供する。【解決手段】 4価のセリウムイオンを含む溶液を処理することにより得られるコロイドを含むセリウム化合物研磨剤及びこのセリウム化合物研磨剤で、所定の基板を研磨する基板の研磨法。
請求項（抜粋）：
4価のセリウムイオンを含む溶液を処理することにより得られるコロイドを含むセリウム化合物研磨剤。
IPC (5件)：
C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14 ,  B24B 37/00 ,  C01F 17/00 ,  H01L 21/304 622
FI (5件)：
C09K 3/14 550 D ,  C09K 3/14 550 Z ,  B24B 37/00 H ,  C01F 17/00 Z ,  H01L 21/304 622 D
Fターム (13件)：
3C058AA07 ,  3C058CB02 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA17 ,  4G076AA09 ,  4G076AA12 ,  4G076AA14 ,  4G076AA21 ,  4G076BA26 ,  4G076BD01 ,  4G076CA17 ,  4G076DA30
引用特許：
審査官引用 (6件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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