半導体装置及び半導体装置の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-066960
公開番号（公開出願番号）：特開2001-257344
出願日： 2000年03月10日
公開日（公表日）： 2001年09月21日
要約：

【要約】【課題】金属酸化物膜或いは金属珪酸化物膜をゲート絶縁膜に用いた半導体装置の性能を向上させる。【解決手段】半導体基板1と金属酸化物膜3との間に、金属、シリコン及び酸素を含む絶縁膜6が形成されている。金属、シリコン及び酸素を含む絶縁膜6にはフッ素又は窒素の少なくとも一方が含まれている。金属酸化物膜3及び金属、シリコン及び酸素を含む絶縁膜6は非結晶膜である。金属酸化物膜3を構成する主たる金属元素と金属、シリコン及び酸素を含む絶縁膜6を構成する主たる金属元素とは異なっていてもよい。

請求項（抜粋）：

金属、シリコン及び酸素を含む絶縁膜をゲート絶縁膜の少なくとも一部に用いた半導体装置であって、前記金属、シリコン及び酸素を含む絶縁膜にフッ素又は窒素の少なくとも一方が含まれていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/78 , H01L 21/283 , H01L 21/316 , H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 21/283 C , H01L 21/316 M , H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 301 P

Fターム (46件)：

4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB13 , 4M104BB30 , 4M104CC05 , 4M104DD03 , 4M104DD04 , 4M104DD55 , 4M104DD79 , 4M104DD82 , 4M104DD86 , 4M104EE03 , 4M104EE09 , 4M104EE12 , 4M104EE16 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH20 , 5F040DC01 , 5F040EC01 , 5F040EC04 , 5F040EC07 , 5F040EC08 , 5F040EC10 , 5F040EC12 , 5F040ED01 , 5F040ED03 , 5F040EF02 , 5F040EK05 , 5F040FA01 , 5F040FA02 , 5F040FA05 , 5F040FA07 , 5F040FB02 , 5F040FB05 , 5F040FC15 , 5F040FC19 , 5F040FC28 , 5F058BA01 , 5F058BD04 , 5F058BD06 , 5F058BD15 , 5F058BF52 , 5F058BH20 , 5F058BJ01

引用特許：

審査官引用 (4件)

ド-プされた金属酸化物誘電体材料を有する電子部品及びド-プされた金属酸化物誘電体材料を有する電子部品の作製プロセス
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-065742 出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-252448 出願人：株式会社東芝
薄膜絶縁ゲイト型半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-348790 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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