特許
J-GLOBAL ID:200903094185373797

半導体レーザ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 杉浦 正知
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-049552
公開番号(公開出願番号):特開平9-219567
出願日: 1996年02月13日
公開日(公表日): 1997年08月19日
要約:
【要約】【課題】 p型クラッド層中のZnが活性層中に入り込むのを有効に防止することができ、しかもp型クラッド層の直列抵抗を十分に低くすることができるAlGaInP系の半導体レーザを提供する。【解決手段】 AlGaInP系の半導体レーザにおいて、p型AlGaInPクラッド層7のうちの活性層5側の第1の部分7aにp型不純物としてMgをドープし、残りの第2の部分7bにp型不純物としてZnをドープする。第1の部分7aにはMgに加えて非常に低濃度のZnをドープしてもよい。
請求項(抜粋):
活性層をn型クラッド層とp型クラッド層とによりはさんだ構造を有するAlGaInP系の半導体レーザにおいて、上記p型クラッド層に上記活性層側から見て第1の部分および第2の部分が順次設けられ、上記第1の部分にp型不純物としてMgがドープされ、上記第2の部分にp型不純物としてZnがドープされていることを特徴とする半導体レーザ。
IPC (2件):
H01S 3/18 ,  H01L 33/00
FI (2件):
H01S 3/18 ,  H01L 33/00 B
引用特許:
審査官引用 (7件)
  • 特開平4-048669
  • 特開平4-049691
  • 半導体レーザ
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-094239   出願人:松下電器産業株式会社
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