半導体レーザ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉浦正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-049552
公開番号（公開出願番号）：特開平9-219567
出願日： 1996年02月13日
公開日（公表日）： 1997年08月19日
要約：

【要約】【課題】 p型クラッド層中のZnが活性層中に入り込むのを有効に防止することができ、しかもp型クラッド層の直列抵抗を十分に低くすることができるAlGaInP系の半導体レーザを提供する。【解決手段】 AlGaInP系の半導体レーザにおいて、p型AlGaInPクラッド層7のうちの活性層5側の第1の部分7aにp型不純物としてMgをドープし、残りの第2の部分7bにp型不純物としてZnをドープする。第1の部分7aにはMgに加えて非常に低濃度のZnをドープしてもよい。

請求項（抜粋）：

活性層をn型クラッド層とp型クラッド層とによりはさんだ構造を有するAlGaInP系の半導体レーザにおいて、上記p型クラッド層に上記活性層側から見て第1の部分および第2の部分が順次設けられ、上記第1の部分にp型不純物としてMgがドープされ、上記第2の部分にp型不純物としてZnがドープされていることを特徴とする半導体レーザ。

IPC (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 B

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平4-048669
特開平4-049691
半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-094239 出願人：松下電器産業株式会社

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