特許
J-GLOBAL ID：200903094215604802

シリコンナノワイヤーの製造法

発明者：
野田 哲二

野田 哲二 について

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胡 全利

胡 全利 について

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施 鷹

施 鷹 について

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鈴木 裕

鈴木 裕 について

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荒木 弘

荒木 弘 について


出願人/特許権者：
独立行政法人物質・材料研究機構

独立行政法人物質・材料研究機構 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-086558
公開番号（公開出願番号）：特開2004-296750
出願日： 2003年03月26日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：
【課題】結晶方位が揃いサイズが一定で、かつ直線部分が数mmの切断、組み立てが容易な、シリコンナノワイヤーおよびシリコン・ゲルマニウム合金ナノワイヤーの製造方法を提供する。【解決手段】キャリアーガスの流通下にシリコンまたはシリコン・ゲルマニウム合金をその融点より低い温度で蒸発させ、900°C以上1300°C以下の温度の均熱部においてナノワイヤーを成長させる。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
キャリアーガスの流通下において、シリコンあるいはシリコン・ゲルマニウム合金をその融点よりも低い温度で蒸発させ、キャリアーガスの流通下流域の均熱部において900°C以上1300°C以下の温度範囲でシリコンあるいはシリコン・ゲルマニウム合金のナノワイヤーを成長させることを特徴とするシリコンナノワイヤーの製造方法。
IPC (3件)：
H01L29/06 ,  B82B3/00 ,  C01B33/02
FI (3件)：
H01L29/06 601N ,  B82B3/00 ,  C01B33/02 Z
Fターム (9件)：
4G072AA01 ,  4G072BB04 ,  4G072GG03 ,  4G072HH01 ,  4G072LL01 ,  4G072LL03 ,  4G072RR11 ,  4G072UU01 ,  4G072UU07
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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