特許
J-GLOBAL ID：200903094220222110
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-204538
公開番号（公開出願番号）：特開平9-055476
出願日： 1995年08月10日
公開日（公表日）： 1997年02月25日
要約：
【要約】【目的】アンチヒューズに対する書き込み電圧のばらつきを、その下地構造に依存することなく低減する。【構成】アンチヒューズにより形成された不揮発性記憶素子を有する半導体装置。アンチヒューズの下方側電極を兼ねる第1配線層105とアンチヒューズ107及びアンチヒューズの上方側電極を兼ねる第2配線層108を絶縁する層間絶縁膜106には、アンチヒューズ107と第1配線層105との接続孔が、第1配線層105上の接続面と同一平面の端部を含むように形成される。こうしてアンチヒューズ107に対する書き込みは第1配線層105の端部への電界集中によって行われ、アンチヒューズの配線層との接続部の下部の段差形状や傾斜の状態に依存しない。また接続孔が埋め込み金属層によって形成された半導体装置のアンチヒューズといった構造をとることもできる。
請求項（抜粋）：
2つの異なった配線層と接続されたアンチヒューズにより形成された不揮発性記憶素子を有する半導体装置において、前記配線層の少なくとも一方とアンチヒューズの接続部が、当該配線層の接続面と同一平面の端部を含むことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 27/10 431
, H01L 21/82
H01L 27/10 431
, H01L 21/82 F
