半導体レーザモジュール

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-085289
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283847
出願日： 1996年04月08日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：

【要約】【課題】光出力を安定して制御可能な半導体レーザモジュールを提供すること。【解決手段】活性領域21を挟んで相対向する光反射面22と光射出面23が形成された半導体発光素子2と、その半導体発光素子2の光射出面23と相互に光の入射及び出射を可能に光結合され内部に所定波長の光のみを反射する回折格子33が形成されている光ファイバ3とを備え、半導体発光素子2への電流注入により活性流域に光を生じ、その光を光反射面23と回折格子33との間で反射増幅させてレーザ光として出力する半導体レーザモジュール1であって、回折格子33の反射波長帯域幅が半導体発光素子の光反射面22と光射出面23間にて共振する光の縦モードの波長間隔より大きく設定されている。

請求項（抜粋）：

活性領域を挟んで相対向する光反射面と光射出面が形成された半導体発光素子と、その半導体発光素子の光射出面と相互に光の入射及び出射を可能に光結合され内部に所定波長の光のみを反射する回折格子が形成されている光ファイバとを備え、前記半導体発光素子への電流注入により前記活性流域に光を生じ、その光を前記光反射面と前記回折格子との間で反射増幅させてレーザ光として出力する半導体レーザモジュールであって、前記回折格子の反射帯域幅が前記半導体発光素子の前記光反射面と前記光射出面間にて共振する光の縦モードの波長間隔より大きく設定されていることを特徴とする半導体レーザモジュール。

IPC (3件)：

H01S 3/18 , G02B 6/10 , G02B 6/42

FI (3件)：

H01S 3/18 , G02B 6/10 C , G02B 6/42

引用特許：

審査官引用 (13件)

モードロック半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-035218 出願人：アメリカンテレフォンアンドテレグラフカムパニー
特開平3-057288
特開平4-262586

全件表示

前のページに戻る