特許
J-GLOBAL ID：200903094309988191

半導体素子

発明者：
板垣 奈穂

板垣 奈穂 について

, 
岩崎 達哉

岩崎 達哉 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (3件)： 山下 穣平 ,  志村 博 ,  永井 道雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-258271
公開番号（公開出願番号）：特開2007-073702
出願日： 2005年09月06日
公開日（公表日）： 2007年03月22日
要約：
【課題】 電極層と半導体層との接触抵抗が低く、密着性と経時安定性に優れた酸化物半導体素子を提供する。【解決手段】 酸化物半導体層と貴金属電極との間に、それらの間の密着性を向上させるための密着性向上層106が分散して配置され、前記酸化物半導体層と貴金属電極が接触する部分を有する。密着性向上層106は、島状又はストライプ状に分散している。密着性向上層106は、10nm以下の厚さを有し、Ti、Ni、Cr、V、Hf、Zr、Nb、Ta、Mo又はWの少なくとも1つを含む。貴金属電極103の材料は、Au、Pt又はPdの少なくとも1つを含む。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
酸化物半導体層と貴金属電極との間に、それらの間の密着性を向上させるための密着性向上層が分散して配置され、前記酸化物半導体層と貴金属電極が接触する部分を有することを特徴とする半導体素子。
IPC (3件)：
H01L 21/28 ,  H01L 29/786 ,  H01L 29/861
FI (5件)：
H01L21/28 301B ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/78 618B ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/91 F
Fターム (44件)：
4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB05 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104CC01 ,  4M104DD28 ,  4M104DD34 ,  4M104DD68 ,  4M104FF11 ,  4M104FF13 ,  4M104GG02 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH08 ,  4M104HH15 ,  5F110AA03 ,  5F110AA14 ,  5F110AA26 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110GG04 ,  5F110GG07 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK34 ,  5F110HM02 ,  5F110QQ14
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (5件)
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