特許
J-GLOBAL ID：200903030457049791
酸化物半導体の電極およびその製造方法、並びに、酸化物半導体発光素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (3件)：
山崎 宏
, 前田 厚司
, 仲倉 幸典
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-114975
公開番号（公開出願番号）：特開2004-319920
出願日： 2003年04月18日
公開日（公表日）： 2004年11月11日
要約：
【課題】n型酸化物半導体に対して密着性に優れ、且つ、オーミック抵抗が低い酸化物半導体の電極およびその製造方法を提供する。【解決手段】n型ZnOコンタクト層102の表面の一部上にAlから成るn型金属電極層107が形成され、n型金属電極層107上にTiO2から成るn型酸化物電極層108が形成されている。n型金属電極層107はn型ZnOコンタクト層102に接し、n型酸化物電極層108はn型金属電極層107に接している。また、n型酸化物電極層108はn型金属電極層107の貫通穴を介してn型ZnOコンタクト層102にも接している。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
n型伝導性の酸化物半導体上に形成されて上記n型伝導性の酸化物半導体に接すると共に、少なくともIIIB族元素を含む金属電極層と、
上記n型伝導性の酸化物半導体と上記金属電極層との両方に接すると共に、少なくとも遷移金属酸化物を含む酸化物電極層とを備えたことを特徴とする酸化物半導体の電極。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L33/00 E
, H01L33/00 D
, H01L29/46
4M104BB36
, 4M104BB40
, 4M104CC01
, 4M104DD33
, 4M104DD34
, 4M104DD68
, 4M104DD78
, 4M104FF06
, 4M104FF13
, 4M104GG04
, 4M104HH08
, 4M104HH16
, 5F041AA03
, 5F041AA08
, 5F041AA24
, 5F041AA43
, 5F041CA04
, 5F041CA46
, 5F041CA55
, 5F041CA57
, 5F041CA65
, 5F041CA66
, 5F041CA82
, 5F041CA87
, 5F041CA88
, 5F041CA92
