特許

J-GLOBAL ID：200903094318135827

ZnO系半導体発光素子およびその製造方法

発明者： 石崎 順也
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 菅原 正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-370360
公開番号（公開出願番号）：特開2005-136156
出願日： 2003年10月30日
公開日（公表日）： 2005年05月26日
要約：

【課題】 簡便にバッファ層の結晶性を向上させることにより、発光層部の品質を高めることを可能とするZnO系半導体発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 基板1の主表面上に、基板1に含まれないZnO系化合物よりなるバッファ層2と、該バッファ層2の上にZnO系化合物からなる発光層部10とが少なくとも形成されてなる積層構造において、バッファ層2は、酸素源のガス種として酸素を用いた有機金属気相成長法にて形成されてなるものとする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板の主表面上に、該基板には含まれないZnO系化合物よりなるバッファ層を形成し、該バッファ層上にZnO系化合物よりなる発光層部を形成するZnO系半導体発光素子の製造方法であって、 前記バッファ層は、酸素源のガス種として酸素を用いた有機金属気相成長法にて、多結晶層として形成することを特徴とするZnO系半導体発光素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01L33/00 ,  H01L21/365

FI (2件)：

H01L33/00 D ,  H01L21/365

Fターム (23件)：

5F041CA41 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB17 ,  5F045AB22 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC11 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AF06 ,  5F045AF09 ,  5F045CA09 ,  5F045DA53 ,  5F045DA61 ,  5F045EE12

引用特許：

出願人引用 (1件)

• ZnO結晶の成長方法、ZnO結晶構造及びそれを用いた半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-245220   出願人：スタンレー電気株式会社, 八百隆文

審査官引用 (2件)

• ZnO系半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-260742   出願人：信越半導体株式会社
• ZnO系酸化物半導体層を有する半導体装置の製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-278043   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所, ローム株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• "Characteristics of c-axis oriented large grain ZnO films prepared by low-pressure MO-CVD method"