特許
J-GLOBAL ID：200903094347808555

半導体装置およびその製造方法

発明者：
小杉 亮治

小杉 亮治 について

, 
福田 憲司

福田 憲司 について


出願人/特許権者：
独立行政法人産業技術総合研究所

独立行政法人産業技術総合研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-105192
公開番号（公開出願番号）：特開2004-311815
出願日： 2003年04月09日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：
【課題】イオン注入層にMOS(MIS)界面を形成した場合でも、オン抵抗と逆耐圧の双方を良好なものとすることができるようにする。【解決手段】この発明の半導体装置1は、炭化珪素領域を含む半導体基板(10,11,12,13,14)上にゲート絶縁膜16を有する半導体装置1において、ゲート絶縁膜16と半導体基板の炭化珪素領域(11,12,13,14)との界面が、(0001)面、(000-1)面、あるいはその各面の15度以内のオフカット面であり、当該半導体装置1がオン状態であるとき、ゲート絶縁膜16と半導体基板の炭化珪素領域11との界面に電子が流れる方向が、半導体基板10のオフ方向に対して垂直である、ことを特徴としている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
炭化珪素領域を含む半導体基板上にゲート絶縁膜を有する半導体装置において、 上記ゲート絶縁膜と半導体基板の炭化珪素領域との界面が、(0001)面、(000-1)面、あるいはその各面の15度以内のオフカット面であり、当該半導体装置がオン状態であるとき、上記ゲート絶縁膜と半導体基板の炭化珪素領域との界面に電子が流れる方向が、半導体基板のオフ方向に対して垂直であることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L29/78 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336
FI (8件)：
H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652E ,  H01L29/78 652K ,  H01L21/316 P ,  H01L29/78 658F ,  H01L29/78 658E ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 301Q
Fターム (30件)：
5F058BA20 ,  5F058BB10 ,  5F058BC02 ,  5F058BF62 ,  5F058BG01 ,  5F058BH02 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA01 ,  5F140AA25 ,  5F140AA30 ,  5F140AC23 ,  5F140AC24 ,  5F140BA02 ,  5F140BA16 ,  5F140BA20 ,  5F140BB01 ,  5F140BE07 ,  5F140BE17 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BH30 ,  5F140BH43 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ11 ,  5F140BK13 ,  5F140BK28 ,  5F140BK38 ,  5F140CA10 ,  5F140CB01 ,  5F140CE02
引用特許：
審査官引用 (4件)
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