特許
J-GLOBAL ID：200903094350097791

ダミーパターンの配置方法、半導体設計装置及び半導体装置

発明者：
平林 京介

平林 京介 について


出願人/特許権者：
NECエレクトロニクス株式会社

NECエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 家入 健
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-003173
公開番号（公開出願番号）：特開2008-171170
出願日： 2007年01月11日
公開日（公表日）： 2008年07月24日
要約：
【課題】従来のダミーパターンの配置方法は、エッチング工程において形成されるパターンにばらつきが生じる問題があった。【解決手段】本発明にかかるダミーパターンの配置方法は、配線パターンが配置された配線領域にダミーパターンを配置する方法であって、前記配線領域を分割して得られる分割領域において前記配線パターンの占める密度を示すパターン密度を算出する密度算出ステップと、前記分割領域における前記配線パターンの周囲長の合計値を算出する周囲長算出ステップと、算出された前記パターン密度と前記配線パターンの周囲長の合計値と、予め設定される上限値又は下限値との差分に基づいてダミーパターンの形状を決定して配置する配置ステップとを有することを特徴とするものである。【選択図】図11
請求項（抜粋）：
配線パターンが配置された配線領域にダミーパターンを配置する方法であって、 前記配線領域を分割して得られる分割領域において前記配線パターンの占める密度を示すパターン密度を算出する密度算出ステップと、 前記分割領域における前記配線パターンの周囲長の合計値を算出する周囲長算出ステップと、 算出された前記パターン密度と前記配線パターンの周囲長の合計値と、予め設定される上限値又は下限値との差分に基づいてダミーパターンの形状を決定して配置する配置ステップとを有することを特徴とするダミーパターンの配置方法。
IPC (2件)：
G06F 17/50 ,  H01L 21/82
FI (4件)：
G06F17/50 658N ,  H01L21/82 C ,  G06F17/50 666Z ,  G06F17/50 658L
Fターム (14件)：
5B046AA07 ,  5B046BA06 ,  5B046JA01 ,  5F064EE02 ,  5F064EE03 ,  5F064EE15 ,  5F064EE32 ,  5F064EE33 ,  5F064EE57 ,  5F064GG03 ,  5F064HH06 ,  5F064HH10 ,  5F064HH12 ,  5F064HH20
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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