特許
J-GLOBAL ID：200903094351731753
ドーピングマスク、これを用いた電荷転送イメージ素子の製造方法及び半導体素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
八田 幹雄
, 奈良 泰男
, 齋藤 悦子
, 宇谷 勝幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-039111
公開番号（公開出願番号）：特開2005-244217
出願日： 2005年02月16日
公開日（公表日）： 2005年09月08日
要約：
【課題】濃度の異なるウェルを一度のイオン注入で形成するためのドーピングマスクとこれを用いた電荷転送イメージ素子及び半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】基板10上の周辺回路領域Bには感光膜がなく、画素領域Aには、一定ピッチの開口50が反復された感光膜パターンPRを形成し、感光膜パターンPRをドーピングマスクとしてサブ基板10の全面に同一濃度のイオン注入を行い、その後熱処理工程を実施する。感光膜パターンPRのピッチaはドーピングマスクを通じて注入されたイオンが拡散されて隣り合う開口50を通じて注入されたイオンが互いに繋がってウェルを形成することができる幅である。これにより、相異なる濃度を有するウェル領域を同時に形成させることができる。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
半導体素子を形成するための基板にウェルを形成するためのドーピングマスクであって、
一定したピッチの開口部が反復されて形成された感光膜パターンより成り、
前記ピッチが、隣り合う前記開口部を通じて注入されたイオンが互いに基板内で繋がってウェルを形成することができる幅であることを特徴とするドーピングマスク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/265 M
, H01L27/14 B
4M118AA10
, 4M118AB01
, 4M118BA13
, 4M118CA02
, 4M118EA01
, 4M118EA15
, 4M118FA06
, 4M118FA13
出願人引用 (1件)
審査官引用 (6件)
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