特許
J-GLOBAL ID：200903094405754371
光導波路搭載基板及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
青木 篤
, 鶴田 準一
, 島田 哲郎
, 樋口 外治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-239820
公開番号（公開出願番号）：特開2009-069658
出願日： 2007年09月14日
公開日（公表日）： 2009年04月02日
要約：
【課題】電気回路基板の製造の延長として光導波路を形成する場合において、光伝送のための反射ミラーの形成を容易にし、光導波路の構造にする。【解決手段】絶縁層(23)に開口部(28)を設けて導体層(27)を露出させ、下クラッド層(30)を形成し、下クラッド層を含む絶縁層上に、めっきレジスト層(31)を形成し、外部に接続される導体層(27)を電極として電解めっきを施し、表面絶縁層、下クラッド層及びめっきレジスト層を貫通する開口部(31a、31b)をCuで充填し、めっきレジスト層を除去し、充填Cuにより突起部(32)を形成し、突起部を傾斜面(34)に加工してこの傾斜面上にAuミラー面(36)を形成し、コア層(37)及び上クラッド層(38)を積層する。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
表面に絶縁層を有し且つ該絶縁層の下層に外部に導通する導体層を有する電気回路基板上に光導波路を形成する光導波路搭載基板の製造方法であって、
前記表面絶縁層に少なくとも1つの開口部を設けて、前記導体層を露出させ、
該表面絶縁層上に、前記開口部に対応する位置の開口部を有する下クラッド層を形成する工程と、
該下クラッド層を含む前記表面絶縁層上にめっきレジスト層を形成し、該めっきレジスト層の前記開口部に対応する位置に開口部を形成する工程と、
前記開口部に露出している前記導体層を電極として、電解めっきを施し、前記表面絶縁層、前記下クラッド層及び前記めっきレジスト層を貫通する前記開口部を金属で充填する工程と、
前記めっきレジスト層を除去し、充填金属による突起部を形成する工程と、
該突起部を傾斜面に加工する工程と、
該傾斜面上に反射面を形成する工程と、
該反射面を含む前記下クラッド層上にコア層を積層する工程と、
該コア層上に上クラッド層を積層する工程と、
を含むことを特徴とする光導波路搭載基板の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (14件)：
2H147AB04
, 2H147AB05
, 2H147BD10
, 2H147BG02
, 2H147CA01
, 2H147CA13
, 2H147CB01
, 2H147CB06
, 2H147DA09
, 2H147EA16A
, 2H147EA16B
, 2H147FA20
, 2H147FC01
, 2H147FC08
出願人引用 (2件)
審査官引用 (5件)
全件表示
前のページに戻る
