薄膜トランジスタ装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-019026
公開番号（公開出願番号）：特開2002-222957
出願日： 2001年01月26日
公開日（公表日）： 2002年08月09日
要約：

【要約】【課題】薄膜トランジスタ装置の素子材となる低温poly-Si薄膜を、基板との界面歪みを考慮した最適格子構造を持つ面方位に揃えた状態で大粒径化(擬似的な単結晶)し、かつ結晶位置を制御するための技術を提供することで高移動度の薄膜トランジスタ装置を実現することにある。【解決手段】薄膜トランジスタ装置は、IV属結晶(C,Si,Ge,Sn及びPbの群から選ばれる何れか一つ、もしくはそれらの混晶からなる結晶)の{110}面が、最も未結合手密度が小さいことに着目し、基板界面での歪みエネルギーを最小化し、かつ、チャネル長相当の成長距離を持つ面方位を選んで結晶成長させることにより、大粒径、かつ、面方位制御された結晶粒でチャネルを形成することで高移動度薄膜トランジスタ装置を実現する。

請求項（抜粋）：

絶縁体基板と、前記絶縁体基板上に形成された多結晶薄膜と、前記多結晶薄膜上に形成されたソース、ドレイン、チャネル及びゲートからなるトランジスタとを有する薄膜トランジスタ装置において、前記多結晶薄膜はIV属のC,Si,Ge,Sn及びPbの群から選ばれる何れか一つの結晶、もしくはそれらの混晶からなる結晶であり、前記ソースとドレインとを結ぶ少なくとも一つの経路上において、前記基板垂直方向に対し0〜5度の角度を持つ<110>軸と、経路方向に対し0〜30度の角度を持つ<100>軸とを持つ結晶粒が、一つもしくは複数個連なっていることを特徴とする薄膜トランジスタ装置。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/20

FI (4件)：

H01L 21/20 , H01L 29/78 618 Z , H01L 29/78 620 , H01L 29/78 627 G

Fターム (15件)：

5F052AA02 , 5F052DA01 , 5F052FA01 , 5F052JA01 , 5F110AA01 , 5F110BB02 , 5F110DD02 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG17 , 5F110GG25 , 5F110HM07 , 5F110PP03 , 5F110PP05 , 5F110PP29

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-205347 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-051237 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体材料
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-305552 出願人：ソニー株式会社

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