特許
J-GLOBAL ID：200903094688013569

多層配線構造及びその形成方法

発明者：
横山 孝司

横山 孝司 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-072290
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274296
出願日： 1998年03月20日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：
【要約】【課題】 多層配線構造において、微細な配線間や複雑なパターン間に層間絶縁膜を完全に埋設し、膜厚の厚い、しかも平坦性に非常に優れる層間絶縁膜を形成する。【解決手段】 第1の層間絶縁膜形成工程にて、塗布系の絶縁膜材料を微細な配線3,3間に塗布埋設して、第1の層間絶縁膜4を形成し、第2の層間絶縁膜形成工程にて、予めシート12にフィルム状に形成された絶縁膜11を第1の層間絶縁膜4上に圧着して、第1の層間絶縁膜4上に第2の層間絶縁膜11を形成する。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された微細な配線間、或いは複雑なパターン間を層間絶縁膜にて絶縁した多層配線構造であって、前記層間絶縁膜は、第1の層間絶縁膜と第2の層間絶縁膜との層構造からなり、 前記第1の層間絶縁膜は、塗布系の絶縁膜材料から構成され、前記微細な配線間或いは複雑なパターン間に塗布埋設されたものであり、前記第2の層間絶縁膜は、フィルム状絶縁膜材料から構成され、前記第1の層間絶縁膜上に積層形成されたものであることを特徴とする多層配線構造。
IPC (2件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/316
FI (2件)：
H01L 21/90 Q ,  H01L 21/316 G
引用特許：
審査官引用 (4件)
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