特許
J-GLOBAL ID：200903094692256530

穿孔方法

発明者：
立野 周一

立野 周一 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-022251
公開番号（公開出願番号）：特開2002-224874
出願日： 2001年01月30日
公開日（公表日）： 2002年08月13日
要約：
【要約】【課題】シリコンチップのI/Oパッドの増加に対しても対応可能な、ピッチ間隔の狭い略格子状に配列した貫通孔をレーザー光の照射によって形成するにあたり、加工熱の熱放散不良に伴うシート材の変質、変形や、貫通孔の変形を防止し、精度の高い貫通孔を形成する。【解決手段】所定のシート1に対して、レーザー光4の照射によって、略格子状に配列した貫通孔を形成するにあたり、穿孔ポイントから次に穿孔ポイントに移動しながら穿孔を行う穿孔方法において、穿孔後の穿孔ポイントから次の穿孔ポイントに移動する時、最短距離となる移動の比率が、総移動数の50%以下となるように移動しながら穿孔する。
請求項（抜粋）：
所定のシートに対して、レーザー光の照射によって、略格子状に配列した貫通孔を形成するにあたり、穿孔ポイントから次に穿孔ポイントに移動しながら穿孔を行う穿孔方法において、穿孔後の穿孔ポイントから次の穿孔ポイントに移動する時、最短距離となる移動の比率が、総移動数の50%以下であることを特徴とする穿孔方法。
IPC (5件)：
B23K 26/00 330 ,  B23K 26/08 ,  H05K 3/00 ,  H05K 3/46 ,  B23K101:42
FI (5件)：
B23K 26/00 330 ,  B23K 26/08 B ,  H05K 3/00 N ,  H05K 3/46 X ,  B23K101:42
Fターム (18件)：
4E068AF00 ,  4E068AF02 ,  4E068DA11 ,  4E068DA14 ,  4E068DB14 ,  5E346AA12 ,  5E346AA41 ,  5E346CC04 ,  5E346CC09 ,  5E346EE06 ,  5E346EE07 ,  5E346EE09 ,  5E346EE15 ,  5E346FF01 ,  5E346GG15 ,  5E346HH21 ,  5E346HH26 ,  5E346HH32
引用特許：
審査官引用 (5件)
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