特許
J-GLOBAL ID：200903094717777522
不揮発性メモリ、データプロセッサ及びICカード用マイクロコンピュータ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
玉村 静世
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-202991
公開番号（公開出願番号）：特開2006-024309
出願日： 2004年07月09日
公開日（公表日）： 2006年01月26日
要約：
【課題】 非選択の不揮発性メモリセルに不所望な電流が流れるのを防止することにある。【解決手段】 複数の不揮発性メモリセル(MC)のそれぞれは、閾値電圧レベルの高低に応じてデータを記憶することが可能であり、低い閾値電圧レベルは負電圧領域とされ、高い閾値電圧レベルは正電圧領域とされる。不揮発性メモリは、前記低い閾値電圧レベルの不揮発性メモリセルを高い閾値電圧レベルに変化される第1動作と、前記高い閾値電圧レベルの不揮発性メモリセルを低い閾値電圧レベルに変化される第2動作とのそれぞれの動作制御がされる。第1動作を書込み動作、第2動作を消去動作とすると、消去動作では予め電圧もしくは電圧印加時間の観点で軽い書込み動作を行なってから閾値電圧を下げる動作を行なう。低い閾値電圧にされたときデプレッション型にされる1素子/1セル型のメモリセルの閾値電圧が不所望に低いレベルに遷移する事態を防止することができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
複数の不揮発性メモリセルと、複数のワード線とを有し、
前記複数のワード線の夫々は、前記複数の不揮発性メモリセルのうち対応する不揮発性メモリセルに接続され、
前記複数の不揮発性メモリセルのそれぞれは、閾値電圧レベルの高低に応じてデータを記憶することが可能であり、低い閾値電圧レベルは負電圧領域とされ、高い閾値電圧レベルは正電圧領域とされ、
前記低い閾値電圧レベルの不揮発性メモリセルを高い閾値電圧レベルに変化される第1動作と、前記高い閾値電圧レベルの不揮発性メモリセルを低い閾値電圧レベルに変化される第2動作とのそれぞれの動作制御がされ、
前記第1動作において、閾値電圧レベルを変化させるべき不揮発性メモリセルが接続されたワード線に第1電圧を印加し、
前記第2動作において、閾値電圧レベルを変化させるべき不揮発性メモリセルが接続されたワード線に第1電圧を印加した後、不揮発性メモリセルの閾値電圧を低い閾値電圧レベルに変化させるための第2電圧をワード線に印加する不揮発性メモリ。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (7件)：
5B125BA08
, 5B125CA17
, 5B125DC09
, 5B125EG03
, 5B125FA02
, 5B125FA05
, 5B125FA06
出願人引用 (13件)
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国際公開第03/012878号パンフレット
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特開平1-113997号公報
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特開昭60-095795号公報
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審査官引用 (10件)
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