特許
J-GLOBAL ID：200903094726377162

マスク、リソグラフィ装置及び半導体部品

発明者：
マン、ハンス-ユルゲン

マン、ハンス-ユルゲン について

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ロビシュ、マルティン

ロビシュ、マルティン について

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シンガー、ボルフガング

シンガー、ボルフガング について


出願人/特許権者：
カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー

カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー について


代理人 (11件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  白根 俊郎 ,  村松 貞男 ,  野河 信久 ,  橋本 良郎 ,  風間 鉄也
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-509416
公開番号（公開出願番号）：特表2007-515770
出願日： 2003年09月17日
公開日（公表日）： 2007年06月14日
要約：
本発明は、特定の周期膜厚分布を有する多層コーティングを有するマスクに係る。このマスクは、例えば、半導体部品を製造するためのリソグラフィ装置で使用される。投影光学系の一つの問題は、像の欠陥の原因となる瞳のアポダイゼ-ションに関係している。本発明によれば、マスク平面内での周期膜厚分布が、最大の反射率を得るために最適な周期的膜厚分布よりも、大きくなるように選択される。その結果、瞳でのアポダイゼ-ションが、より対称性を増すのみではなく、強度変化が全体的に小さくなる。
請求項（抜粋）：
周期膜厚分布d(x,y,z)の多層コーティングを有するマスクにおいて、 少なくとも1つの位置(x0 ,y0 ,z0 )における周期膜厚分布d(x,y,z)が、動作波長に関して最大の反射率が存する周期膜厚分布didealよりも大きいことを特徴とするマスク。
IPC (3件)：
H01L 21/027 ,  G03F 1/16 ,  G03F 7/20
FI (5件)：
H01L21/30 531M ,  G03F1/16 A ,  G03F7/20 521 ,  H01L21/30 531A ,  H01L21/30 517
Fターム (12件)：
2H095BA10 ,  2H095BB01 ,  2H095BB35 ,  2H095BC24 ,  5F046BA05 ,  5F046CB01 ,  5F046CB03 ,  5F046CB23 ,  5F046GA03 ,  5F046GB01 ,  5F046GB09 ,  5F046GD10
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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