基板処理方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-200252
公開番号（公開出願番号）：特開2002-023386
出願日： 2000年06月30日
公開日（公表日）： 2002年01月23日
要約：

【要約】【課題】基板面内の寸法ばらつきを大きくすることなく、現像後に発生する欠陥の大幅な低減をはかる。【解決手段】レジスト12にLSIパターンが露光された被加工基板11に対し、TMAH現像液を用いてレジスト12を現像した後に、露出表面を純水で洗浄するための基板処理方法であって、第1の洗浄工程として、基板11を500rpmで回転させながら、オゾンガスを3ppm溶解させたオゾン水17を用いて15s間洗浄処理することにより、基板11の露出表面に付着した有機物を分解し、次に第2の洗浄工程として、基板11を500rpmで回転させながら、水素ガスを1.2ppm溶解させた水素水18を用いて15s洗浄処理することにより、分解した有機物を基板外に除去する。

請求項（抜粋）：

感光性樹脂膜に所望パターンが露光された被加工基板に対し、現像液を用いて感光性樹脂膜を現像した後に、露出表面を純水で洗浄するための基板処理方法であって、酸化性のガスを溶解させた純水で洗浄することで、前記基板の露出表面に付着した有機物を分解する第1の洗浄工程と、還元性のガスを溶解させた純水で洗浄することで、前記分解した有機物を除去する第2の洗浄工程とを含むことを特徴とする基板処理方法。

IPC (2件)：

G03F 7/32 501 , H01L 21/027

FI (2件)：

G03F 7/32 501 , H01L 21/30 569 E

Fターム (6件)：

2H096AA25 , 2H096GA02 , 2H096GA17 , 2H096GA18 , 5F046LA12 , 5F046LA14

引用特許：

出願人引用 (5件)

洗浄方法および洗浄装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-072175 出願人：株式会社フロンテック, オルガノ株式会社
洗浄方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-129503 出願人：大見忠弘, 株式会社ウルトラクリーンテクノロジー開発研究所
リソグラフィ工程
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-233083 出願人：大見忠弘, キヤノン株式会社

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審査官引用 (4件)

洗浄方法および洗浄装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-072175 出願人：株式会社フロンテック, オルガノ株式会社
洗浄方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-129503 出願人：大見忠弘, 株式会社ウルトラクリーンテクノロジー開発研究所
リソグラフィ工程
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-233083 出願人：大見忠弘, キヤノン株式会社

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