キャパシタの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷照一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-235034
公開番号（公開出願番号）：特開2003-163333
出願日： 2002年08月12日
公開日（公表日）： 2003年06月06日
要約：

【要約】【課題】キャパシタの製造方法における、高温工程の時、高誘電体または強誘電体の薄膜の酸素成分が拡散される経路を抑制して、優れた漏れ電流特性を得ることのできるキャパシタの製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板21上に下部電極28として白金合金膜を形成するステップと、前記白金合金膜を酸化処理して導電性酸化膜29を形成するステップと、前記導電性酸化物膜上に誘電体薄膜30を形成するステップと、前記誘電体薄膜に上部電極31を形成するステップとを含む。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に下部電極として白金合金膜を形成するステップと、前記白金合金膜を酸化処理して導電性酸化膜を形成するステップと、前記導電性酸化物膜上に誘電膜を形成するステップと、前記誘電膜に上部電極を形成するステップとを含むことを特徴とするキャパシタの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 27/105 , H01L 21/8242 , H01L 27/108

FI (2件)：

H01L 27/10 444 C , H01L 27/10 651

Fターム (15件)：

5F083AD11 , 5F083FR01 , 5F083JA06 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA35 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA43 , 5F083PR21 , 5F083PR22 , 5F083PR33 , 5F083PR34

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体素子のキャパシタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-321927 出願人：現代電子産業株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-168132 出願人：三菱電機株式会社
酸素障壁が設けられた下部電極を有する強誘電体メモリ素子を具えた半導体デバイス
公報種別：公表公報出願番号：特願平8-511563 出願人：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ

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