特許

J-GLOBAL ID：200903022967812136

酸素障壁が設けられた下部電極を有する強誘電体メモリ素子を具えた半導体デバイス

発明者： ヴォルテルス ロベルタス アドリアヌス マリア ,  ケンペルマン ヨハンナ ヘンリカ ヘレナ マリア
出願人/特許権者： フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-511563
公開番号（公開出願番号）：特表平9-507342
出願日： 1995年09月26日
公開日（公表日）： 1997年07月22日
要約：

【要約】本発明は、導電領域(5)を有する半導体素子(1)を具える半導体本体(3)を具え、前記導電領域(5)上に、下部電極(11)、酸化物強誘電体(12)及び上部電極(13)を有する、メモリ素子を構成するキャパシタ(2)が存在し、前記下部電極(11)が前記導電領域(5)と電気的に接触するとともに導電性金属酸化物層(112)とプラチナ含有層(111)とを具えている半導体デバイスに関する。導電性金属酸化物層(112)は製造中酸素障壁として作用する。本発明はこのような半導体デバイスの製造方法にも関する。本発明デバイスにおいては、前記プラチナ含有層(111)が導電性金属酸化物を形成しうる金属を15原子%以上含み、且つ前記導電性金属酸化物層(112)が前記プラチナ含有層(111)と前記強誘電体(12)との間に存在することを特徴とする。これにより、下部電極(11)と導電領域(5)との間の良好な電気的接触が製造後に達成される。

請求項（抜粋）：

導電領域を有する半導体素子を具える半導体本体を具え、前記導電領域上に、下部電極、酸化物強誘電体及び上部電極を有する、メモリ素子を構成するキャパシタが存在し、前記下部電極が前記導電領域と電気的に接触するとともに導電性金属酸化物層とプラチナ含有層とを具えている半導体デバイスにおいて、 前記プラチナ含有層が導電性金属酸化物を形成しうる金属を15原子%以上含み、且つ前記導電性金属酸化物層が前記プラチナ含有層と前記強誘電体との間に存在することを特徴とする半導体デバイス。

IPC (7件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 強誘電体コンデンサ及びその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-099773   出願人：ラムトロン・インターナショナル・コーポレーション
• 特開平4-287968
  
• 特開平4-367211