特許

J-GLOBAL ID：200903094774681370

ガスノズルおよびその製造方法とそれを用いた薄膜形成装置

発明者： 上林 治
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-097187
公開番号（公開出願番号）：特開2005-286069
出願日： 2004年03月29日
公開日（公表日）： 2005年10月13日
要約：

【課題】半導体製造装置等の薄膜形成装置に用いられるガスノズルにおいて、高精度なガス流量特性をもち安定したガス供給を可能とするガスノズルを提供する。【解決手段】薄膜形成装置用各種ガスの供給などに用いられるガスノズルにおいて、噴射孔の内壁面にガス導入方向に対し45°以下の傾きを持った複数の微細溝を形成し、ガスの流れが安定させる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ガスを案内する管状の供給孔と、該供給孔に連接した噴射孔を備え、該噴射孔よりガスを噴射するガスノズルにおいて、上記噴射孔の内壁面にガス噴射方向に向かって傾斜した複数の微細溝を形成したことを特徴とするガスノズル。

IPC (2件)：

H01L21/31 ,  C23C16/455

FI (2件)：

H01L21/31 C ,  C23C16/455

Fターム (24件)：

4K030AA06 ,  4K030AA14 ,  4K030AA16 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030DA06 ,  4K030EA05 ,  4K030FA01 ,  4K030KA47 ,  4K030LA15 ,  5F045AA08 ,  5F045AB32 ,  5F045AC01 ,  5F045AC02 ,  5F045AC11 ,  5F045AC16 ,  5F045DP02 ,  5F045EB06 ,  5F045EE20 ,  5F045EF01 ,  5F045EF08 ,  5F045EF11 ,  5F045EF13 ,  5F045EH12

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 半導体製造装置用ガス導入ノズル
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-371718   出願人：京セラ株式会社
• 半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-101120   出願人：ソニー株式会社
• パッファ形ガス遮断器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-248917   出願人：株式会社明電舎

審査官引用 (2件)

• パッファ形ガス遮断器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-248917   出願人：株式会社明電舎
• レーザ加工装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-260146   出願人：ファナック株式会社