特許
J-GLOBAL ID：200903092812219542
シリコンウェーハのIG処理法及びこれにより作られたIGウェーハ並びにこれに用いるシリコン単結晶インゴット
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-227472
公開番号（公開出願番号）：特開2001-053078
出願日： 1999年08月11日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：
【要約】【課題】 ウェーハの状態での熱処理回数が少なくて済み、900°C以下の熱処理で所望のIG効果を奏する。IG能力の高いIGウェーハを得る。このIGウェーハに適するシリコン単結晶インゴットを得る。【解決手段】 シリコン単結晶インゴットから切出された研削研磨した直後のシリコンウェーハを室温から800〜900°Cまで10°C/分以上の昇温速度で急速加熱し、0.5〜30分間保持するIG処理法である。インゴットをシリコン融液からその全ての領域が空孔型点欠陥の凝集体及び格子間シリコン型点欠陥の凝集体が存在しないパーフェクト領域[P]からなるように引上げ、かつ引上げられた転位発生を伴わない酸素析出物を1×106〜1×1010個/cm3含むインゴットを室温〜650°Cの温度で0〜3時間保持し、更に700〜800°Cの温度で3〜10時間保持した後、室温まで冷却する。
請求項（抜粋）：
シリコン単結晶インゴットから切出された研削研磨した直後のシリコンウェーハを室温から800〜900°Cまで10°C/分以上の昇温速度で急速加熱し、0.5〜30分間保持するシリコンウェーハのIG処理法であって、インゴット内で空孔型点欠陥の凝集体及び格子間シリコン型点欠陥の凝集体が存在しないパーフェクト領域を[P]とするとき、前記シリコン単結晶インゴットをシリコン融液から全ての領域が前記パーフェクト領域[P]からなるように引上げ、かつ引上げられた前記インゴットを室温〜650°Cの温度で0〜3時間保持し、更に700〜800°Cの温度で3〜10時間保持した後、室温まで冷却することを特徴とするシリコンウェーハのIG処理法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/322 Y
, C30B 29/06 A
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077BA04
, 4G077CF00
, 4G077FB03
, 4G077FE11
, 4G077FE13
, 4G077FG11
, 4G077GA01
, 4G077HA12
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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