微細構造の作製方法及び作製装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-179071
公開番号（公開出願番号）：特開2006-005110
出願日： 2004年06月17日
公開日（公表日）： 2006年01月05日
要約：

【課題】電子線によるガスデポジション法で作製したものと同サイズ(ナノメートルオーダー)の微細構造を、位置とサイズを自由に制御しつつ、任意の材料、結晶性にて作製することができる新規な作製方法及び作製装置を提供する。【解決手段】マスクの原料となる元素を含んだガスを材料上に流しながら、電子線を材料上の所望位置に向かって照射してマスクを形成した後、エネルギービームを照射してマスクで被覆された部分以外の材料部分を取り除くことにより、材料に微細加工を行う。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

マスクの原料となる元素を含んだガスを材料上に流しながら、電子線を材料上の所望位置に向かって照射してマスクを形成した後、エネルギービームを照射してマスクで被覆された部分以外の材料部分を取り除くことにより、材料に微細加工を行うことを特徴とする微細構造の作製方法。

IPC (8件)：

H01L 21/302 , B82B 3/00 , G01N 1/32 , G01N 13/12 , H01J 37/30 , H01J 37/305 , H01L 21/321 , G01N 1/28

FI (9件)：

H01L21/302 201B , B82B3/00 , G01N1/32 B , G01N13/12 A , H01J37/30 Z , H01J37/305 Z , H01L21/88 D , G01N1/28 G , G01N1/28 F

Fターム (22件)：

2G052AA13 , 2G052AC28 , 2G052AD32 , 2G052EC14 , 2G052EC16 , 2G052GA33 , 5C034AA02 , 5C034AA09 , 5C034AB02 , 5C034BB05 , 5C034BB06 , 5C034BB09 , 5F004BA11 , 5F004EA03 , 5F004EA05 , 5F004EA40 , 5F033HH13 , 5F033QQ08 , 5F033QQ11 , 5F033QQ27 , 5F033WW07 , 5F033XX03

引用特許：

審査官引用 (5件)

パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-204938 出願人：キヤノン株式会社
微細針状構造の加工方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-155242 出願人：株式会社荏原製作所
SiCのパターンエッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-233528 出願人：株式会社島津製作所

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