化合物半導体装置の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：高橋敬四郎 , 来山幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-206601
公開番号（公開出願番号）：特開2009-043887
出願日： 2007年08月08日
公開日（公表日）： 2009年02月26日
要約：

【課題】検知性能の向上が図られた赤外線検知素子の作製に適用可能な、化合物半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】化合物半導体装置の製造方法は、(a)半導体基板を準備する工程と、(b)半導体基板の上方に、分子線エピタキシにより、In、Al、及びGaから選択された材料と、As2分子と、さらにSbとのビームを同時照射することにより、InxAlyGa1-x-yAs(0≦x,y<1かつ0≦x+y<1)からなる中間層を形成する工程とを有する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

(a)半導体基板を準備する工程と、 (b)前記半導体基板の上方に、分子線エピタキシにより、In、Al、及びGaから選択された材料と、As2分子と、さらにSbとのビームを同時照射することにより、InxAlyGa1-x-yAs(0≦x,y<1かつ0≦x+y<1)からなる第1の中間層を形成する工程とを有する化合物半導体装置の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 31/026

FI (1件)：

H01L31/08 L

Fターム (7件)：

5F088AA11 , 5F088AB07 , 5F088BA01 , 5F088CB03 , 5F088FA05 , 5F088GA03 , 5F088LA01

引用特許：

審査官引用 (4件)

赤外線検知器
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-068172 出願人：富士通株式会社
半導体量子ドット構造及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-045172 出願人：日本電信電話株式会社
化合物半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-217896 出願人：シャープ株式会社

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