特許
J-GLOBAL ID：200903094961105650

基板処理装置および基板処理方法

発明者：
岡本 伊雄

岡本 伊雄 について

, 
田中 哲哉

田中 哲哉 について


出願人/特許権者：
大日本スクリーン製造株式会社

大日本スクリーン製造株式会社 について


代理人 (1件)： 川崎 実夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-162828
公開番号（公開出願番号）：特開2002-359227
出願日： 2001年05月30日
公開日（公表日）： 2002年12月13日
要約：
【要約】【課題】デバイス形成領域上の薄膜およびデバイス形成領域に作り込まれたデバイスへのダメージを抑制する。【解決手段】バキュームチャック11の上方には、ほぼ円錐形状の遮断板12が配置されている。遮断板12の下面121には、それぞれエッチング液、純水および窒素ガスを吐出する開口122a,122b,122cが形成されている。エッチング液、純水および窒素ガスは、ウエハWの回転半径外方に向かうにつれてウエハWに近づくように傾斜した方向に吐出されて、それぞれウエハWの表面のエッチング液供給位置Pe、純水供給位置Pdおよび窒素ガス供給位置Pnに供給される。
請求項（抜粋）：
基板を回転させつつエッチング液を供給して基板上の不要物を除去する基板処理装置であって、基板に供給すべきエッチング液を吐出するエッチング液吐出口、基板の一方面上の純水供給位置に向けて純水を吐出する純水吐出口および上記一方面上の上記純水供給位置よりも回転半径内方の気体供給位置に向けて気体を吐出する気体吐出口を有していることを特徴とする基板処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/304 643 ,  H01L 21/304 645
FI (3件)：
H01L 21/304 643 A ,  H01L 21/304 645 A ,  H01L 21/306 J
Fターム (7件)：
5F043AA22 ,  5F043BB15 ,  5F043BB27 ,  5F043EE06 ,  5F043EE08 ,  5F043EE35 ,  5F043GG10
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM