半導体装置およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：稲岡耕作 , 川崎実夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-051686
公開番号（公開出願番号）：特開2006-237393
出願日： 2005年02月25日
公開日（公表日）： 2006年09月07日
要約：

【課題】ボンディングメタル層の材料によるショットキ界面の劣化を抑制または防止して、デバイス特性を改善する。【解決手段】ショットキダイオードは、半導体基板10と、この半導体基板10にショットキ接触するショットキ金属層15と、ショットキ金属層15上に形成されたボンディングメタル層16とを含む。ショットキ金属層15は、金属窒化物層32bを含む。より具体的には、ショットキ金属層15は、多結晶金属層32aと、この多結晶金属層32aの表面および粒界に形成された金属窒化物層32bとを有する金属窒化物含有多結晶金属層32を有している。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体基板と、この半導体基板にショットキ接触するとともに、金属窒化物層または金属酸化物層を含むショットキ金属層と、前記ショットキ金属層上に形成されたボンディングメタル層とを含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/872 , H01L 29/47

FI (1件)：

H01L29/48 M

Fターム (24件)：

4M104AA03 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB29 , 4M104BB30 , 4M104BB31 , 4M104BB32 , 4M104BB33 , 4M104BB36 , 4M104CC03 , 4M104DD37 , 4M104DD42 , 4M104DD78 , 4M104DD83 , 4M104FF18 , 4M104FF35 , 4M104GG03 , 4M104GG12 , 4M104HH04

引用特許：

出願人引用 (1件)

ショットキーダイオード、pn接合ダイオード、pin接合ダイオード、および製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-060364 出願人：株式会社シクスオン, 関西電力株式会社, 住友電気工業株式会社, 三菱商事株式会社

審査官引用 (4件)

窒化物系III-V族化合物半導体装置の電極構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-373477 出願人：シャープ株式会社
成膜装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-195286 出願人：株式会社日立製作所
特開平4-206741

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