特許

J-GLOBAL ID：200903095074372976

3-5族化合物半導体の製造方法

発明者： 家近 泰 ,  小野 善伸 ,  高田 朋幸
出願人/特許権者： 住友化学工業株式会社
代理人 (1件)： 久保山 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-150310
公開番号（公開出願番号）：特開平9-008355
出願日： 1995年06月16日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】3-5族化合物半導体に対してドライエッチングを行なった際のエッチングダメージを回復させ、良好な品質の3-5族化合物半導体を製造する。【構成】3-5族化合物半導体をドライエッチングした後、リン酸と硫酸とを含む溶液にて処理する工程を有する3-5族化合物半導体の製造方法。3-5族化合物半導体をドライエッチングした後、リン酸と硫酸とを含む溶液にて処理し、次に不活性雰囲気中で400°C以上で熱処理する工程を有する3-5族化合物半導体の製造方法。ドライエッチングが、稀ガス、ハロゲン元素を含む分子又はこれらの混合ガスを用いる3-5族化合物半導体の製造方法。

請求項（抜粋）：

一般式Inx Gay Alz N(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される3-5族化合物半導体をドライエッチングした後、リン酸と硫酸とを含む溶液にて処理する工程を有することを特徴とする3-5族化合物半導体の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/308 ,  H01S 3/18

FI (7件)：

H01L 33/00 E ,  H01L 21/28 301 H ,  H01L 21/304 341 D ,  H01L 21/308 G ,  H01S 3/18 ,  H01L 21/302 F ,  H01L 21/302 N

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体発光素子の製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-057688   出願人：ローム株式会社
• 半導体発光装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-004719   出願人：旭化成工業株式会社
• 特開平1-278025
  
• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-311824   出願人：松下電器産業株式会社
• p型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-357046   出願人：日亜化学工業株式会社