特許
J-GLOBAL ID：200903095082364745

プラズマ処理装置

発明者：
石井 信雄

石井 信雄 について

, 
高橋 応明

高橋 応明 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について

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高橋 応明

高橋 応明 について


代理人 (3件)： 金本 哲男 ,  亀谷 美明 ,  萩原 康司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-349802
公開番号（公開出願番号）：特開2004-186303
出願日： 2002年12月02日
公開日（公表日）： 2004年07月02日
要約：
【課題】マイクロ波によってプラズマを発生させてプラズマ処理する際に,プラズマ密度の均一性を向上させると共に,所望の領域でのプラズマ密度を変更することができ,しかもプラズマの発生による温度上昇があっても,安定したプロセスを実現する。【解決手段】処理容器2の上部開口に誘電体としての石英ガラス板22が気密に配置され,石英ガラス板22の内部には拡散板23が配置され,周縁部も石英ガラス板22によって覆われている。石英ガラス板22の下面には,処理空間Sに面した部分に,誘電体材料からなる凸部31,32が設けられている。マイクロ波供給装置26からのマイクロ波は同軸導波管25によって,石英ガラス板22の上部中心に伝搬される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
マイクロ波の供給によって発生したプラズマによって,処理容器内の基板に対して処理を施すプラズマ処理装置であって, 処理容器の上部開口部を気密に覆う誘電体と, マイクロ波供給装置からのマイクロ波を前記誘電体の上方に伝搬させる導波管と, 前記誘電体内に設けられかつその周縁部が前記誘電体に覆われた,誘電体内を伝搬するマイクロ波を周辺方向に拡散させる拡散板と, を有することを特徴とする,プラズマ処理装置。
IPC (4件)：
H01L21/3065 ,  B01J19/08 ,  C23C16/511 ,  H05H1/46
FI (4件)：
H01L21/302 101D ,  B01J19/08 E ,  C23C16/511 ,  H05H1/46 B
Fターム (25件)：
4G075AA24 ,  4G075AA30 ,  4G075BC06 ,  4G075BD14 ,  4G075CA26 ,  4G075CA47 ,  4G075CA65 ,  4G075DA02 ,  4G075EB01 ,  4G075EB41 ,  4G075EE01 ,  4G075FA05 ,  4G075FB02 ,  4G075FB04 ,  4G075FC11 ,  4G075FC15 ,  4K030CA12 ,  4K030FA03 ,  4K030KA09 ,  4K030KA30 ,  4K030KA46 ,  5F004AA01 ,  5F004BB14 ,  5F004BB32 ,  5F004BC08
引用特許：
審査官引用 (4件)
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