包囲条件を除去するためのプラグの拡大頭部を形成する構成体及び方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小橋一男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-337222
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236476
出願日： 1995年12月25日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：

【要約】【課題】相互接続層を形成する場合に侵食されることのないコンタクト開口を形成する技術を提供する。【解決手段】絶縁層(34)を貫通するコンタクト開口が真直な側壁部分(42)とお椀形状側壁部分(40)とを有するように形成される。お椀形状側壁部分は絶縁層の上部近くであり底部と比較して上部においてコンタクト開口の拡大直径部分を与えている。導電性物質(46)をコンタクト開口内に形成し下部の導電層(32)と電気的接触を形成する。この導電性物質は拡大頭部(52)を有するプラグ(47)を形成する。この拡大頭部は、存在する場合に、コンタクト開口内のバリア層(45)が爾後の異方性エッチングによってエッチングされることを防止する。従って、例えばアルミニウム等の電気的相互接続層(48)がコンタクトプラグの上側に形成される場合に、そのプラグはエッチストップとして作用しコンタクト開口内のバリア層がエッチングされることを防止する。

請求項（抜粋）：

集積回路装置における電気的接続構成体において、導電層、前記導電層の上側に設けられており上表面を具備する絶縁層、前記絶縁層を貫通しており前記導電性の1領域を露出させる開口であって、大略真直な側壁部分と上部領域においてお椀形状とした側壁部分とを具備する開口、前記露出された導電性領域、真直な側壁部分及びお椀形状の側壁部分のうちの少なくとも一部を被覆して設けられた薄いバリア金属層、前記薄いバリア金属層の上側に設けられており且つ前記開口を充填しており前記絶縁層の上表面とほぼ同一面状の上表面を具備するコンフォーマル導電性物質からなる層、前記コンフォーマル導電性物質からなる少なくとも一部の上側に設けられた第二導電性物質からなる層、を有することを特徴とする構成体。

IPC (5件)：

H01L 21/28 , C23F 1/02 , C23F 4/00 , H01L 21/3065 , H01L 21/768

FI (5件)：

H01L 21/28 U , C23F 1/02 , C23F 4/00 A , H01L 21/302 E , H01L 21/90 A

引用特許：

出願人引用 (14件)

特開平2-239665
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-254380 出願人：ソニー株式会社
特表平6-511352

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審査官引用 (15件)

特開平2-239665
特開平2-239665
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-254380 出願人：ソニー株式会社

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