シリコン系結晶薄膜の形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：谷川昌夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-012618
公開番号（公開出願番号）：特開2001-203340
出願日： 2000年01月21日
公開日（公表日）： 2001年07月27日
要約：

【要約】【課題】支持基板上にシリコンを含む結晶薄膜を形成する方法であって、比較的厚みのある結晶薄膜を効率よく形成することができるシリコン系結晶薄膜の形成方法を提供する。【解決手段】シリコン単結晶基板1に水素イオンを注入する。イオン注入された結晶基板1をシリコン及びインジウムを含む融液の中に浸し、基板1を加熱することでボイド15を形成する。融液で、基板1のイオン注入面を加圧しながら、基板1を加熱して、ボイド15を形成する。融液を冷却することで、過飽和となったシリコンを基板1の表面に析出させ、基板1の表面にシリコン膜4を形成する。ボイド形成位置で基板1を分離する。これにより、シリコン単結晶薄膜11、41が積層された薄膜F1を得る。シリコン単結晶薄膜F1を支持基板5に接着する。

請求項（抜粋）：

シリコンを10wt%以上含有するシリコン系結晶基板に水素イオン又はヘリウムイオンを注入するイオン注入工程と、イオン注入された結晶基板を加熱して、該基板のイオン注入位置にボイドを形成するボイド形成工程と、イオン注入された結晶基板をシリコンを含有する金属融液に浸し、該融液を冷却してゆくことで、エピタキシャル成長によってシリコンを主成分とする単結晶薄膜又は多結晶薄膜を該基板のイオン注入面上に形成するエピタキシャル成長工程と、結晶薄膜が形成された結晶基板をボイド形成位置で分離する分離工程とを含み、前記ボイド形成工程におけるボイド形成のための前記結晶基板の加熱が、該結晶基板の少なくともイオン注入面を前記エピタキシャル成長工程で用いる金属融液に浸すことで行われることを特徴とするシリコン系結晶薄膜の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 27/12 , C30B 29/06 501 , H01L 21/208 , H01L 21/265

FI (4件)：

H01L 27/12 B , C30B 29/06 501 Z , H01L 21/208 Z , H01L 21/265 Q

Fターム (23件)：

4G077AA03 , 4G077BA10 , 4G077CG02 , 4G077CG07 , 4G077ED06 , 4G077FE09 , 4G077FE11 , 4G077FF01 , 4G077FF07 , 4G077FJ02 , 5F053AA26 , 5F053AA47 , 5F053BB24 , 5F053DD01 , 5F053FF01 , 5F053GG01 , 5F053HH01 , 5F053HH04 , 5F053JJ01 , 5F053LL05 , 5F053LL10 , 5F053PP06 , 5F053RR13

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体部材の製造方法および半導体部材
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-346408 出願人：キヤノン株式会社
残留金属融液溶媒除去装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-219243 出願人：シャープ株式会社
半導体基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-125506 出願人：株式会社デンソー

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