特許
J-GLOBAL ID：200903095485002649
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-062865
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256214
出願日： 1997年03月17日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：
【要約】【課題】半導体基板上の絶縁膜に金属埋込み配線を形成する際、CMPの研磨レートの向上によるスラリー消費量の軽減、工程時間の削減、CMPの後洗浄工程における粒界抜け防止による歩留りの向上、反応性の強い薬品の使用により残存メタル不純物、パーティクルの除去性能、歩留りおよび信頼性の向上を図る。【解決手段】半導体装置の製造過程で実施するCMPプロセスの研磨工程に際して、使用するスラリーに被CMP材である配線金属材料15の結晶面方位に対して選択的な相互作用を及ぼす材料を添加して特定面に被着させることにより、スラリー中の改質剤による変質層16の形成を配線金属材料の特定面に対して抑制しつつ行う。
請求項（抜粋）：
半導体装置の製造過程で実施するCMP(化学的機械研磨)プロセスの研磨工程に際して、使用するスラリーに被CMP材である配線金属材料の結晶面方位に対して選択的な相互作用を及ぼす材料を添加して特定面に被着させることにより、スラリー中の改質剤による変質層形成を前記配線金属材料の特定面に対して抑制しつつ行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/304 321
H01L 21/304 341 M
, H01L 21/304 321 A
