半導体装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：畑泰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-319476
公開番号（公開出願番号）：特開平11-154702
出願日： 1997年11月20日
公開日（公表日）： 1999年06月08日
要約：

【要約】【課題】高集積度かつ、低抵抗で高信頼性の多層配線を有する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】下層配線と上層配線の接続プラグ部24に下層配線と同材料のアルミあるいはアルミ合金を用い、このプラグの形成を下層配線と上層配線間の絶縁膜の堆積前に下層配線上の凸型パターンのプラグ24として形成する。次にプラグ24の側壁を陽極酸化によりアルミナ化9した後、下層配線23の形成を行う。プラグ24と下層配線23が自己整合的に位置合わせできるので、目ズレによる不良が生じない。またプラグ24側壁をアルミナ化9することでプラグ形成後の下層配線エッチング時にプラグ24の側壁がエッチングされることがないため、低抵抗で高信頼性のアルミプラグを実現することが可能である。

請求項（抜粋）：

少なくとも2層以上のアルミニウム配線層が形成され、接続プラグで上層の配線層と下層の配線層とを接続した半導体装置において、前記接続プラグをアルミニウム又はアルミニウム合金で形成し、前記接続プラグの側壁に酸化層を形成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/768 , H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/90 A , H01L 21/88 N

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開平2-111052
特開平3-192721
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-229705 出願人：新日本製鐵株式会社

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