特許

J-GLOBAL ID：200903095555765084

3-5族化合物半導体の製造方法

発明者： 澤木 宣彦 ,  平松 和政 ,  花井 寿佳 ,  松嶋 秀忠
出願人/特許権者： 住友化学工業株式会社
代理人 (1件)： 久保山 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-073715
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270365
出願日： 1997年03月26日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：

【要約】【課題】3次元成長が抑制された3-5族化合物半導体の選択成長法を実現することにより、良好な微細な構造を有する3-5族化合物半導体の制御性に優れた製造方法を提供する。【解決手段】有機金属気相成長法により、一般式GaxAlyN(式中、0≦x≦1、0≦y≦1、x+y=1)で表される3-5族化合物半導体層からなる層を、結晶表面をマスクでパターニングした一般式GauAlvN(式中、0≦u≦1、0≦v≦1、u+v=1)で表される3-5族化合物半導体層上に成長させる3-5族化合物半導体の成長方法において、キャリアガスとして不活性ガスを用いる3-5族化合物半導体の製造方法。

請求項（抜粋）：

有機金属気相成長法により、一般式GaxAlyN(式中、0≦x≦1、0≦y≦1、x+y=1)で表される3-5族化合物半導体層からなる層を、結晶表面をマスクでパターニングした一般式GauAlvN(式中、0≦u≦1、0≦v≦1、u+v=1)で表される3-5族化合物半導体層上に成長させる3-5族化合物半導体の成長方法において、キャリアガスとして不活性ガスを用いることを特徴とする3-5族化合物半導体の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/20

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/20