特許
J-GLOBAL ID:200903095596775043
大きな有機半導体結晶を有するデバイスおよび該デバイスを作製する方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (8件):
岡部 正夫
, 加藤 伸晃
, 産形 和央
, 臼井 伸一
, 越智 隆夫
, 本宮 照久
, 朝日 伸光
, 三山 勝巳
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-196149
公開番号(公開出願番号):特開2005-142526
出願日: 2004年07月02日
公開日(公表日): 2005年06月02日
要約:
【課題】半導体装置を含んだデバイス、半導体装置を作製する方法、およびデバイスを作製する方法を提供する。【解決手段】表面を含んだ誘電体層であって、前記表面の一部が露出した芳香族基を有する誘電体層と;前記表面の前記部分上に重なり、接触している有機半導体組成物を含んだ多結晶半導体層であって、前記有機半導体組成物が鎖状部分を含んだ化合物を含み、鎖状部分が共役チオフェン基またはフェニル基を含み、かつ鎖状部分の両端にアルキル連鎖を含む多結晶半導体層とを含んだ半導体装置。【選択図】図3
請求項(抜粋):
表面を含んだ誘電体層であって、前記表面の一部が露出した芳香族基を有する誘電体層と、
前記表面の前記部分上に重なり、接触している有機半導体組成物を含んだ多結晶半導体層であって、前記有機半導体組成物が鎖状部分を含んだ化合物を含み、鎖状部分が共役チオフェン基またはフェニル基を含み、かつ鎖状部分の両端にアルキル連鎖を含む多結晶半導体層と
を含んだ半導体装置。
IPC (3件):
H01L29/786
, H01L21/368
, H01L51/00
FI (4件):
H01L29/78 618B
, H01L21/368 L
, H01L29/78 617T
, H01L29/28
Fターム (33件):
5F053AA50
, 5F053DD19
, 5F053FF01
, 5F053GG02
, 5F053HH01
, 5F053LL10
, 5F053RR04
, 5F110AA01
, 5F110CC03
, 5F110CC07
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD05
, 5F110DD13
, 5F110EE01
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE07
, 5F110EE09
, 5F110EE42
, 5F110EE43
, 5F110EE44
, 5F110EE48
, 5F110FF01
, 5F110FF05
, 5F110FF27
, 5F110GG05
, 5F110GG19
, 5F110GG42
, 5F110HK04
, 5F110HK32
, 5F110HK33
引用特許:
出願人引用 (3件)
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2002年6月11日に出願され、「Process For Fabricating Organic Semiconductor Device Involving Selective Patterning」という題のKatzの米国特許第6,403,397号
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「Process for Fabricating Organic Circuits」という題の、Katz他の米国特許第6,265,243号
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「Process for Fabricating Organic Circuits」という題の、Katz他の米国特許第6,551,717号
審査官引用 (5件)
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