特許

J-GLOBAL ID：200903095618544989

成膜方法

発明者： 立花 光博 ,  河野 有美子 ,  波多野 達夫
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-308529
公開番号（公開出願番号）：特開2004-146516
出願日： 2002年10月23日
公開日（公表日）： 2004年05月20日
要約：

【課題】誘電率の上昇や絶縁膜への悪影響が生じず、かつ技術的困難性をともなわずに、基板の導電性部に例えば拡散防止膜として機能する膜を成膜することができる成膜方法を提供すること。【解決手段】低誘電率材料からなる絶縁膜22と、その中に形成されたCu層27とを有する基板WのCu層27の表面にWからなる拡散防止膜28を成膜するにあたり、基板Wの表面にW(CO)6ガスを供給し、前記Cu層に該W(CO)6ガスを選択的に吸着させ、熱分解させることにより、Cu層27の表面に選択的にWからなる拡散防止膜を成膜する。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

絶縁膜と、その中に形成された導電性部とを有する基板の前記導電性部の表面に金属膜を成膜する成膜方法であって、 前記基板の表面に金属カルボニルガスを供給し、前記導電性部に該金属カルボニルガスを選択的に吸着させ、前記基板を加熱することにより、吸着した金属カルボニルガスを熱分解して、前記導電性部の表面に選択的に金属膜を成膜することを特徴とする成膜方法。

IPC (5件)：

H01L21/285 ,  C23C16/16 ,  C23C16/46 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205

FI (5件)：

H01L21/285 C ,  C23C16/16 ,  C23C16/46 ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/88 R

Fターム (49件)：

4K030AA12 ,  4K030BA01 ,  4K030BA05 ,  4K030BA06 ,  4K030BA12 ,  4K030BA14 ,  4K030BA20 ,  4K030BB12 ,  4K030BB14 ,  4K030CA04 ,  4K030DA02 ,  4K030FA10 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB13 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104DD23 ,  4M104DD43 ,  4M104DD45 ,  4M104DD46 ,  4M104DD64 ,  4M104DD65 ,  4M104DD75 ,  4M104DD78 ,  4M104FF16 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH15 ,  5F033HH17 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033JJ11 ,  5F033MM02 ,  5F033MM05 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP07 ,  5F033PP11 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ91 ,  5F033QQ94 ,  5F033XX21 ,  5F033XX28

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体の銅製の相互接続部を不動態化処理する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-189019   出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
• 半導体装置の配線構造およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-030432   出願人：日本電信電話株式会社
• MOSトランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-151113   出願人：山形日本電気株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-001654   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-260377   出願人：富士通株式会社