MOSFET構成素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：矢野敏雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-182379
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031471
出願日： 1999年06月28日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：

【要約】【課題】付加的なコストなしに、簡単な手段で、不可避的に高い電流により、構成素子が破損されてしまう寄生トランジスタの導通接続からMOSFET構成素子を確実に保護すること。【解決手段】高い電流のスイッチング用に使用されるMOSFET構成素子が提案されている。構成素子は、寄生バイポーラトランジスタのベース-エミッタ区間に対して並列接続された電流路を有しており、この電流路は、少数荷電担体を吸収し、寄生トランジスタの制御を阻止する。

請求項（抜粋）：

弱n型ドーピング領域(1)内のMOSFET構成素子であって、前記弱n型ドーピング領域(1)内に、p型領域(3)が形成されており、該p型領域(3)内には、強n型ドーピング-ソース領域(4)が形成されており、寄生トランジスタ(12)が、エミッタとしてのソース領域(4)、ベースとしてのp型領域(3)及びコレクタとしてのn型領域(1)で形成されており、ソース領域の下側の前記p型領域(3)のp型ドーピング領域(5)によって、下側通過抵抗(6)が形成されており、前記寄生トランジスタ(12)のベース-エミッタ区間には、p型導電路が並列接続されているMOSFET構成素子において、p型導電路は、強p型ドーピング補助領域(20)を有しており、該強p型ドーピング補助領域(20)は、下側通過抵抗(6)に対して並列接続されていることを特徴とする構成素子。

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-234117 出願人：松下電工株式会社
特開昭56-088363
“スナップ・バック”から保護されたDMOSトランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-302642 出願人：エスジーエス-ソムソン・ミクロエレクトロニクス・エス・アール・エル

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