特許
J-GLOBAL ID：200903086761811565

GaN系半導体結晶の製造方法およびGaN系半導体基材

発明者：
只友 一行

只友 一行 について

, 
岡川 広明

岡川 広明 について


出願人/特許権者：
三菱電線工業株式会社

三菱電線工業株式会社 について


代理人 (1件)： 高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-091129
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289540
出願日： 2001年03月27日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：
【要約】【課題】 高品質なGaN系結晶を提供することが可能な該結晶の製造方法、および該製造方法によって高品質なGaN系結晶を成長させ得るGaN系半導体基材を提供すること。【解決手段】 GaN系半導体とは異なる材料からなる結晶基板1の表面に凹凸(または段差)1aを加工し、該凹凸の加工された表面に低温GaN系バッファ層を介することなく直接的にGaN系結晶2を成長させ、GaN系結晶層3とする。結晶基板表面の凹凸(または段差)によって、GaN系結晶は横方向の成長を抑制され、バッファ層を介さずとも平坦化する。
請求項（抜粋）：
GaN系半導体とは異なる材料からなる結晶基板の表面に凹凸または段差が加工され、該凹凸または段差が加工された表面に、バッファ層を介することなく直接的に、GaN系半導体が結晶成長していることを特徴とするGaN系半導体基材。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 610
FI (3件)：
H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 610
Fターム (25件)：
5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF12 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045DA52 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073DA35
引用特許：
審査官引用 (6件)
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